宽禁带半导体相关论文
本文使用导模法（EFG）制备了4英寸氧化镓（β-Ga2O3）单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄（L......
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体，因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体，可广泛应用于航空航天......
全球对公共空间和家庭环境的消毒杀菌需求与日俱增，以深紫外LED为代表的新型宽禁带半导体光电器件正成为科技“新触角”，广泛应用于......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
宽禁带半导体材料因其具有高击穿电场、良好的导热性、高的电子饱和率和抗辐射性能等特点,已成为开发高频率、高功率、耐高温和抗......
碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐......
随着各行业全电化的快速推进,市场对电源模块的效率、功率密度以及集成度的要求越来越高。针对电源模块的效率与功率密度这两个关......
研究了超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延生长α-Ga2O3薄膜过程中通入雾流速率的调控及其对薄膜生长质量的影响.利用COMSOL Mu......
近些年来低维材料成为十分热门的研究内容,低维材料往往拥有独特的性能,相关应用价值体现在众多科研领域,这吸引了无数科研工作者......
随着电子信息技术的不断发展,宽禁带半导体材料在发光二极管、太阳能透明电极以及日盲紫外探测器等领域的应用引起了越来越多的学......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性......
随着国防、航空航天、信息与通信技术、汽车和消费电子等众多行业需求的不断增长,宽禁带半导体市场展现出较好的发展前景,科研人员......
本文基于遗传算法预测了一种新型二维砷结构并研究了它的物理性质。对已报道过的P2/m-P的平面各向异性进行了进一步的研究。此外,......
石墨烯、宽禁带半导体和新型二维半导体材料都具有各自的优异的结构性质和光电特性以及广阔的应用前景,当然它们也存在各自的局限......
本文采用溶胶-凝胶方法成功的在Si和石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜.研究表明为保持ZnO六角结构,Mg离子的最大掺杂浓度为x=0.36,合......
GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。......
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.......
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GH......
本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘......
高质量的P型ZnO是实现电泵浦条件下ZnO材料发光和激光的关键,也是实现紫外发光二极管,激光器等光电器件的重要基础.因而实现本征Zn......
近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析......
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连......
本文报道了In0.17Al0.83N在5wt％ KOH碱性溶液中的腐蚀行为研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品，发现其腐......
作为三代半导体材料,GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场和迁移率的优势,其器件非常适合作为功率和微波放大器,已成为下一代微波功率放......
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察......
近年来,应用于可穿戴和生物电子的柔性和可拉伸的光电器件得到广泛的关注。基于GaN基高亮度发光二极管(HPLED)和微发光二极管(Micr......
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备出具有沿c轴择优取向的多晶MgZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析表明，MgZnO多晶薄......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
二氧化钛薄膜作为光催化的理想材料，在环保领域有巨大的应用潜力，目前已经得到了广泛的研究。但由于TiO2为宽禁带半导体，对太阳光的利......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是支撑......
1伽半导体芯片技术的发展使得功率器件能够有效的利用电能,比如晶闸管和二极管,在电压和电流控制方面起到了关键的作用。相对目前......
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高......
本文采用分子束外延在(0001)取向的蓝宝石基片上生长p-GazOs薄膜，并初步研究了其光响应特性。Ga分子束流采用K-Cell提供，氧分子束流......
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达1......
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商......
由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出......
